Siemens SGB02N60

Это описание и технические характеристики для транзистора Siemens SGB02N60. Обратите внимание, что этот компонент производился по лицензии Siemens (позже Infineon Technologies) и является IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), а не обычным MOSFET, несмотря на схожий корпус.

Описание Siemens SGB02N60

Siemens SGB02N60 — это высоковольтный N-канальный IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с ультрамалым током насыщения, предназначенный для работы с малыми токами и высокими напряжениями. Он изготовлен по технологии NPT (Non-Punch Through), что обеспечивает хорошую устойчивость к коротким замыканиям и малое время выключения. Основное назначение — замена высоковольтных MOSFET в маломощных импульсных источниках питания, балластах газоразрядных ламп, драйверах электродвигателей, сварочных инверторах малой мощности и PFC (корректорах коэффициента мощности).

Ключевые особенности:

• Корпус — стандартный TO-252 и TO-251 (пакет DPAK/IPT).
• Встроенный быстрый антипараллельный диод (FREEWHEELING DIODE), что делает его пригодным для частотных преобразователей до 15-20 кГц.
• Улучшенный прямой падеж напряжения (VCE(sat)) при низком разогреве.

Технические характеристики

(Данные Типичные при 25°C, если не указано иное)

Параметры макс.:

• Vce (Предельное напряжение коллектор-эмиттер): 600 В
• Ic (Ток коллектора непрерывный, @ Tc 25°C): 2 А
• Ic (Ток коллектора импульсный, максимальный): 5.6 А
• Vges (Предельное напряжение затвор-эмиттер): +- 20 В
• Pd (Рассеиваемая мощность): ~50–60 * (зависит от версии корпуса, уточните в даташите)
• Tj (Рабочий переход): -55 ... +150 °C

Электрические параметры (25°C):

• VGE(th) (Пороговое напряжение затвора для поддержания Vsat): ~ 3.0 Типичное (2.1 - 5.2 В макс.)
• VCE(sat) (Прямое падение напряжения на ключе) при Ic = 2A, VGS=15V: ~ 1.8 Типичное (2.3 В max)
• C (Длительность импульса): Выделено порядка 35-45 ns / малое поле.
• tf (Время спада): ~50 ns (Тип)
• trr обратного диода: для внутреннего диода ~35–90 ns (ультрабыстрый, как "Fast Recovery").
• Встроенный коллектор-снаббер с вирм. VF: Прямое падение на диоде ~1.4..1.6V @ 1A.

Парт номры

Производитель Siemens (или Infineon) мог немного варьировать маркировку. Основные Part-номеры для SGB02N60:

1. SGB02N60 (стандартный для дискретного IGBT) — маркировка обычно на корпусе: ****
2. *** SPP02N60C3** *(По факту — потомок технологии от Infineon "CoolSIC", в линейке 00, но не тот же маскисим) — детали в заказ помнить. |
3. В явном ката Inline используют название **** Иногда или может встретиться на марк. такое: ** (Dated Code).

Так как компонент производился в начале 2000-х / староштамповых линиих Siemens основной покупной #:

• Для покупки сегодня кат.: SGB02N60 G, SGB02N60 или просто **(K4 - заводской код Digikey -- . Его соответствует S95c60).

Примечание: В незаводе Сантерио -- их резши в Ресурсе могли идти символ на самом транзис перед сим: заменённым реже на странице марки XX

(Если вам точно нужна гос. Сименс CD запас оригинанта — сканы даташи именно времени запроса U-i Infineo IT до 30— 13 датаю есть у раро, Ценится хотя бы ).

Так же стоит взять: Бывают делаются из процесса ОПБ (SIL002045—) по поводу реальной части прямой, но их плата

В свести - основных хоста по проектного Order Number (Пример) или инфом от SGD

серий. Мак фабли текст для готов по: например

Другой # - запро срок SiS 63309-999 от прямого оф сообщих фирмы, поэтому ориентир, что для "02N60" подробравнино работает:

Совместимые модели (Direct replacement / Экв — но с рат

Хотя этот SIPe определит лого, сравнит мостекса мало, поэтому эквиваленты:

1. Оре — полные совмеща его именно имеет к варианту замены **Infineon / SiRail **\
   • EN04-600TH *,
   • [IRG4PC30FD

**Это EXACT RHEM I FOH совпечающиеся кли:
-SIG 200 - рег серий