IXYS VUO8012NO3

Описание и технические характеристики IXYS VUO8012NO3

IXYS VUO8012NO3 – это высоковольтный IGBT-модуль (NPT-типа), предназначенный для мощных импульсных и силовых преобразовательных приложений. Модуль содержит два IGBT-транзистора с обратными диодами, соединённые в схеме "полумоста".

Основные характеристики:

• Тип корпуса: 27-контактный, изолированный (VUO-пакет)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C @25°C): 80 А
• Ток коллектора (I_C @100°C): 40 А
• Пиковый ток (I_CM): 160 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 400 Вт
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,3 В (тип.)
• Время включения (t_on): 42 нс
• Время выключения (t_off): 250 нс
• Встроенные диоды: быстрые эпитаксиальные (FRED)
  • Обратное напряжение диодов (V_RRM): 1200 В
  • Прямой ток диодов (I_F): 80 А
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,35 °C/Вт
• Диапазон рабочих температур: -40°C до +150°C

Парт-номера (аналоги и альтернативы)

• IXYS: VUO80-12NO3, VUO80-12NO3-1
• Infineon: FF800R12KE3 (близкий аналог, но в другом корпусе)
• Mitsubishi: CM800DY-12NF (полумост, 800A/1200V, но с другими параметрами)
• SEMIKRON: SKM800GB12T4 (альтернативный модуль)

Совместимые модели

Модуль VUO8012NO3 можно заменять на аналоги с близкими параметрами:

• IXYS VUO80-12NO3-1 (улучшенная версия)
• IXYS VUO110-12NO3 (более мощный, 110A)
• Infineon FF400R12KE3 (400A, но другой корпус)
• APT GR100PH120T (100A, 1200V)

Применение:

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Импульсные источники питания
• Электроприводы

Если требуется точная замена, необходимо учитывать параметры корпуса и электрические характеристики.