IXYS VUO2214NO1

Описание и технические характеристики IXYS VUO2214NO1

IXYS VUO2214NO1 – это мощный IGBT-транзистор с интегрированным ультрабыстрым диодом, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как:

• Инверторы и преобразователи
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Драйверы двигателей
• Системы управления энергией

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | N-канальный IGBT с диодом |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1400 В |
| Ток коллектора (I_C) | 22 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 44 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 333 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при I_C = 22 А) |
| Время включения (t_d(on)) | 28 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 220 нс |
| Обратное напряжение диода (V_RRM) | 1400 В |
| Прямой ток диода (I_F) | 22 А |
| Тип корпуса | TO-264 (3-выводной) |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IXYS VUO2214NO1 (оригинал)
• IXYS VUO2212NO1 (аналог с V_CES = 1200 В)
• IXYS VUO160-12NO7 (аналог с другими характеристиками)
• Infineon IKQ75N120CS6 (аналог от Infineon)
• STMicroelectronics STGW40H120DF2 (альтернативный вариант)

Совместимые модели в схемах:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semi)
• APT50GR120J (Microsemi)

Примечания:

• Рекомендуется проверять распиновку и характеристики перед заменой.
• IXYS VUO2214NO1 обладает высокой устойчивостью к перегрузкам и быстрым переключением.
• Подходит для частотных преобразователей и мощных импульсных схем.

Если нужна более точная информация по заменам, уточните тип применения и условия работы.