IXYS VUO190-20N07

IXYS VUO190-20N07 – это мощный MOSFET-транзистор, предназначенный для применения в силовой электронике, импульсных источниках питания, инверторах и других высоковольтных/высокотоковых системах.

Технические характеристики:

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 200 В
• Максимальный ток стока (I_D): 190 А (при 25°C)
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)):
  • 4.5 мОм (при V_GS = 10 В)
  • 6.0 мОм (при V_GS = 4.5 В)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 830 Вт (при 25°C)
• Напряжение отсечки затвора (V_GS(th)): 2.0 – 4.0 В
• Ёмкость затвора (C_iss): ~11000 пФ
• Корпус: TO-247
• Температурный диапазон: -55°C … +175°C

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги):

• IXYS: VUO190-20N07 (основной номер)
• IXYS (аналоги):
  • IXFH190N20T
  • IXFN190N20T
• Аналоги от других производителей:
  • Infineon: IPP190N20N3 G
  • Vishay: SUP190N20-20
  • STMicroelectronics: STW190N20
  • ON Semiconductor: NTMFS5C628NL

Совместимые модели (аналоги с близкими параметрами):

• 200V / 150-200A MOSFET:
  • IXYS IXFN180N20T
  • Infineon IPP180N20N3
  • Vishay SUP200N20
  • STMicroelectronics STW200N20
• Для менее требовательных систем (бюджетные аналоги):
  • IRFP250N (200V, 30A, TO-247)
  • FDPF33N25 (250V, 33A, TO-220)

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Системы управления двигателями
• Высоковольтные ключевые схемы

Модель VUO190-20N07 отличается высокой эффективностью и надежностью благодаря низкому R_DS(on) и высокой допустимой мощности рассеивания. Для замены рекомендуется выбирать аналоги с близкими параметрами по току, напряжению и сопротивлению открытого канала.