IXYS N170PH04

IXYS N170PH04 – это высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный для мощных импульсных и линейных применений. Он отличается высокой надежностью, низким сопротивлением в открытом состоянии и высокой скоростью переключения.

Технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1700 В
• Максимальный ток стока (I_D): 4 А (при 25°C)
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 6 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3–5 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 125 Вт (при 25°C)
• Тип корпуса: TO-247 (изолированный)
• Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C

Ключевые особенности:

✔ Высокое пробивное напряжение (1700 В)
✔ Низкое R_DS(on) для уменьшения потерь
✔ Быстрое переключение
✔ Подходит для импульсных источников питания, инверторов, усилителей мощности

Парт-номера и аналоги:

• Прямые аналоги:
  • IXYS IXFH4N170
  • IXYS IXFR4N170
  • STMicroelectronics STW4N170
  • Infineon IPA60R170P7 (схожие параметры)
• Совместимые модели:
  • IXYS N120PH04 (1200 В, 4 А)
  • IXYS N200PH04 (2000 В, 4 А)

Применение:

• Высоковольтные импульсные источники питания
• Инверторы и преобразователи частоты
• Системы управления мощностью
• Медицинское и промышленное оборудование

Если требуется более точный аналог, стоит учитывать рабочие токи, напряжение и тепловые параметры.