IXYS N1297NS200

IXYS N1297NS200 – это N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением и низким сопротивлением в открытом состоянии, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, DC-DC инверторов и других приложений, где требуется эффективное управление током.

Технические характеристики:

• Тип транзистора: N-channel MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 200 В
• Непрерывный ток стока (I_D): 129 A (при 25°C)
• Импульсный ток стока (I_DM): 390 A
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 7.5 мОм (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В (типовое)
• Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS): ±20 В
• Рассеиваемая мощность (P_D): 520 Вт (при 25°C)
• Корпус: TO-247
• Температурный диапазон: от -55°C до +150°C

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги (полные замены):

• IXYS IXFH129N20T (200 В, 129 A, R_DS(on) = 7.5 мОм)
• Infineon IPP129N20N5 (200 В, 120 A, R_DS(on) = 8.3 мОм)
• Vishay SUP129N20-19 (200 В, 129 A, R_DS(on) = 7.5 мОм)

Близкие по параметрам (возможна замена с проверкой схемы):

• IRFP250N (200 В, 30 A, R_DS(on) = 75 мОм) – менее мощный
• IXFN129N20T (200 В, 129 A, R_DS(on) = 7.5 мОм) – в корпусе TO-264
• STW75N20 (200 В, 75 A, R_DS(on) = 18 мОм)

Совместимые модели и применение:

Транзистор N1297NS200 может использоваться в:

• Импульсных блоках питания
• DC-DC преобразователях
• Мостовых схемах инверторов
• Управлении двигателями
• Солнечных инверторах

Важно: При замене на аналог необходимо учитывать:

• Напряжение V_DSS
• Ток I_D
• Сопротивление R_DS(on)
• Тепловые характеристики (корпус и монтаж).

Если требуется более точный подбор, лучше сверить datasheet оригинальной модели и аналога.