IXYS MDD44-08N1B

Описание и технические характеристики IXYS MDD44-08N1B

Описание:
IXYS MDD44-08N1B – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор с двойным диодом, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Используется в импульсных источниках питания, инверторах, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET с двойным диодом
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 800 В
• Максимальный ток стока (I_D): 44 А (при 25°C)
• Сопротивление открытого канала (R_DS(on)): 0,08 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В (типовое)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт
• Корпус: TO-247 (изолированный)
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Парт-номера и совместимые аналоги

• IXYS: MDD44-08N1, MDD44-08N2
• Аналоги:
  • Infineon IPA60R099P7
  • STMicroelectronics STW45NM50
  • Fairchild (ON Semiconductor) FCH44N50

Области применения

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление двигателями
• Высоковольтные ключевые схемы

Если требуется более точный подбор аналога, рекомендуется проверять параметры по даташиту конкретного производителя.