IXYS MDD312-08N1

Описание

IXYS MDD312-08N1 – это N-канальный MOSFET-транзистор с двойным диодом (Dual Diode), предназначенный для высокоэффективных импульсных приложений, таких как DC-DC преобразователи, синхронные выпрямители и другие силовые электронные системы. Этот компонент объединяет в одном корпусе два MOSFET и два встроенных диода, что упрощает конструкцию схем и повышает надежность.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|-----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Dual) | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 80 В | | Макс. ток стока (I_D) | 30 А (при 25°C) | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 15 мОм (при V_GS = 10 В) | | Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 2–4 В | | Макс. мощность (P_D) | 150 Вт | | Тип корпуса | TO-252 (DPAK) | | Встроенные диоды | Да (два диода Шоттки) | | Температурный диапазон | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (схожие параметры):

• IXYS MDD312-08N2 – версия с улучшенными характеристиками R_DS(on)
• IXYS MDD312-10N1 – аналог на 100 В
• Infineon IPD90N04S4 – близкий аналог от Infineon
• Vishay SiR156DP – альтернатива с похожими параметрами

Совместимые модели (проверять распиновку!):

• Fairchild FDD3682
• ON Semiconductor NTD4806N
• STMicroelectronics STP80NF55-08

Применение

• DC-DC преобразователи
• Синхронные выпрямители
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Управление двигателями

Если вам нужна более детальная информация по конкретному аналогу или схемам применения, уточните запрос!