IXYS MDD200-22N1

IXYS MDD200-22N1 – Описание и технические характеристики

Описание:

IXYS MDD200-22N1 – это высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и силовых электронных систем. Отличается высокой скоростью переключения, низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on) и высокой надежностью.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (VDS) | 2200 В |
| Макс. ток стока (ID) | 200 А |
| Макс. импульсный ток (IDM) | 400 А |
| Сопротивление сток-исток (RDS(on) | 0,22 Ом (при VGS = 15 В) |
| Мощность рассеяния (PD) | 1200 Вт |
| Напряжение затвор-исток (VGS) | ±30 В |
| Заряд затвора (Qg) | 270 нКл |
| Время включения / выключения (tr / tf) | 50 нс / 100 нс |
| Корпус | TO-268 (ISOPLUS i4-PAK) |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги:

• IXYS MDD200-22N1 (оригинал)
• IXYS MDD200-22N1A (модифицированная версия)
• IXYS IXFH200N22 (альтернатива с близкими параметрами)
• IXYS IXFN200N20 (200A, 2000V)
• APT200SM220J (Advanced Power Technology)
• IRFP460 (600V, 20A, менее мощный аналог)

Совместимые модели и применение:

• Силовые инверторы
• Высоковольтные источники питания
• Импульсные преобразователи
• Электроприводы и сервосистемы
• Сварочные аппараты

Данный транзистор подходит для замены в схемах, где требуются высокое напряжение и большой ток. Перед заменой рекомендуется уточнить параметры, особенно VDS и RDS(on).