IXYS MCD9516I01

IXYS MCD9516I01 – это высоковольтный MOSFET-транзистор, разработанный для применения в силовой электронике, импульсных источниках питания, инверторах и других устройствах, где требуется эффективное управление высокими напряжениями и токами.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-channel MOSFET
• Напряжение сток-исток (V_DSS): 950 В
• Ток стока (I_D): до 16 А (при 25°C)
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): ~1.5 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3–5 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 150 Вт
• Корпус: TO-247 (3 вывода)
• Диапазон рабочих температур: -55°C до +150°C

Ключевые особенности:

• Высокая устойчивость к перегрузкам
• Быстрое переключение
• Низкий уровень заряда затвора (Q_g)
• Подходит для высокочастотных преобразователей

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги):

• IXYS MCD9516 (базовая версия)
• IXYS IXFH16N95 (близкий аналог)
• IXYS IXFH16N90 (900 В, но схожие параметры)

Совместимые / аналогичные модели от других производителей:

• Infineon IPP60R190P6 (650 В, но с лучшим R_DS(on))
• STMicroelectronics STW16N95K5 (950 В, 16 А, TO-247)
• Fairchild (ON Semiconductor) FCP16N95 (950 В, 16 А)
• IR (Infineon) IRFB16N95KPBF

Если требуется точная замена, важно учитывать рабочие токи, напряжения и тепловые параметры. Для высокочастотных применений лучше выбирать модели с низким R_DS(on) и Q_g.

Нужна дополнительная информация или уточнения?