IXYS MCD4414IO1B

Описание и технические характеристики IXYS MCD4414IO1B

IXYS MCD4414IO1B – это мощный MOSFET-транзистор с изолированным корпусом, предназначенный для высоковольтных и сильноточных приложений. Используется в импульсных источниках питания, управлении двигателями, инверторах и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Корпус | TO-247 (изолированный) | | Макс. напряжение (V_DSS) | 400 В | | Макс. ток (I_D) | 41 А (при 25°C) | | Сопротивление (R_DS(on)) | 0.085 Ом (при V_GS = 10 В) | | Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт (при 25°C) | | Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 4 В (тип.) | | Заряд затвора (Q_g) | 75 нКл (тип.) | | Температурный диапазон | -55°C до +150°C |

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги)

Прямые аналоги (схожие параметры):

• IXYS MCD4414IO1 (неизолированный корпус)
• IXYS IXFN41N100 (1000 В, 41 А)
• Infineon IPP60R190P6 (600 В, 17 А, низкое R_DS(on))
• STMicroelectronics STW41NM50 (500 В, 41 А)

Совместимые модели (в зависимости от схемы):

• IRFP460 (500 В, 20 А)
• FDPF38N50 (500 В, 38 А)
• IXTH48N20 (200 В, 48 А)

Применение:

• Импульсные блоки питания
• Инверторы и частотные преобразователи
• Управление электродвигателями
• Силовые ключи в сварочных аппаратах

Если требуется более точный подбор аналога, рекомендуется уточнить рабочие параметры схемы (напряжение, ток, частота переключений).

Нужна дополнительная информация по конкретному применению?