IXYS ixtp4n80p

IXYS IXTP4N80P: Описание и технические характеристики

Описание

IXTP4N80P – это N-канальный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 800 В и током стока 4 А. Принадлежит к линейке высоковольтных MOSFET от IXYS (ныне Littelfuse), оптимизированных для эффективного переключения в мощных импульсных источниках питания, инверторах и других высоковольтных приложениях.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение 800 В
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on))
• Быстрое переключение
• Высокая надежность и стойкость к перегрузкам
• Корпус TO-252 (DPAK) для поверхностного монтажа

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 800 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 4 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 2.5 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Предельное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В |
| Мощность рассеивания (P_D) | 40 Вт |
| Температура перехода (T_j) | от -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |

Парт-номера (альтернативные обозначения)

• IXTP4N80P (оригинальный номер от IXYS/Littelfuse)
• IXTP4N80 (аналогичный вариант без буквы "P" в конце)

Совместимые/аналогичные модели

• STP4N80 (STMicroelectronics)
• IRF840 (International Rectifier) – менее мощный, но функционально похожий
• FQP4N80 (Fairchild/ON Semiconductor)
• 2SK3562 (Toshiba)

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров, особенно по R_DS(on) и динамическим характеристикам.

Применение: ИБП, импульсные блоки питания, DC-DC преобразователи, управление двигателями.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!