IXYS IXGH40N60C2D1

Описание и технические характеристики IXYS IXGH40N60C2D1

IXGH40N60C2D1 – это N-канальный IGBT-транзистор с кремниевой структурой, оптимизированный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Обладает низкими коммутационными потерями и высокой стойкостью к перегрузкам. Применяется в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 80 А (макс.) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 40 А (номин.) | | Импульсный ток (I_CM) | 160 А (макс.) | | Мощность рассеяния (P_D) | 300 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) | | Время включения (t_on) | 35 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 180 нс (тип.) | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1.7 В (при 40 А) | | Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0.35 °C/Вт | | Корпус | TO-247 (изолированный) | | Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от IXYS (Littelfuse):

• IXGH40N60B3D1 (аналог с близкими параметрами)
• IXGH40N60A (старая версия)
• IXGH40N60C2 (версия без диода)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW40N60T (600 В, 40 А)
• STMicroelectronics: STGW40H60DF (600 В, 40 А, с диодом)
• Fairchild (ON Semiconductor): FGH40N60SMD (600 В, 40 А)
• Toshiba: GT40QR21 (600 В, 40 А)

Применение:

• Высоковольтные преобразователи
• Индукционный нагрев
• Сварочные инверторы
• Управление двигателями
• Импульсные блоки питания (SMPS)

Примечание: При замене на аналоги рекомендуется проверять разводку платы и параметры, особенно V_CE(sat) и скорость переключения.