IXYS IXFX140N30P

IXYS IXFX140N30P – это мощный N-канальный MOSFET транзистор, предназначенный для применения в высоковольтных и высокочастотных схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы, двигательные приводы и другие силовые электронные устройства.

Технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 300 В
• Максимальный постоянный ток стока (I_D): 140 А (при 25°C)
• Импульсный ток стока (I_DM): 560 А
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)):
  • 6.5 мОм (при V_GS = 10 В)
  • 8.5 мОм (при V_GS = 4.5 В)
• Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS): ±20 В
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 2.5 – 5 В
• Мощность рассеивания (P_D): 830 Вт (при 25°C)
• Тип корпуса: TO-264 (аналогичен TO-3P)
• Температурный диапазон: -55°C до +175°C

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и эквиваленты от других производителей:

• Infineon: IPP140N30N
• STMicroelectronics: STW140N30P
• Vishay: IRFP4568PBF
• Fairchild (ON Semiconductor): FCH140N30

Парт-номера IXYS:

• IXFX140N30P3 (возможна модификация)
• IXFX140N30T (в другом корпусе или с улучшенными параметрами)

Описание и применение:

Транзистор IXFX140N30P обладает низким сопротивлением в открытом состоянии и высокой переключательной способностью, что делает его подходящим для:

• Высоковольтных инверторов
• Импульсных источников питания (SMPS)
• Управления электродвигателями
• Индукционного нагрева
• Сварочного оборудования

Корпус TO-264 обеспечивает хороший теплоотвод, что важно при работе с большими токами.

Если требуется замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров, особенно R_DS(on), V_GS(th) и Q_g (заряд затвора).