IXYS ixfr36n60p

IXYS IXFR36N60P – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений, таких как импульсные источники питания, инверторы, двигательные приводы и другие силовые электронные устройства.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Напряжение сток-исток (V_DSS): 600 В
• Ток стока (I_D): 36 А (при 25°C)
• Сопротивление открытого канала (R_DS(on)): 0,09 Ом (при V_GS = 10 В)
• Максимальная мощность рассеивания (P_D): 300 Вт (при 25°C)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В
• Емкость затвора (C_iss): 2600 пФ
• Корпус: TO-247
• Диод обратного восстановления: Встроенный быстрый диод (Body Diode)

Парт-номера и аналоги (совместимые модели):

Прямые аналоги от IXYS:

• IXFR30N60P (30 А, 600 В, R_DS(on) = 0,12 Ом)
• IXFR48N60P (48 А, 600 В, R_DS(on) = 0,07 Ом)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IPP60R099CP (600 В, 48 А, R_DS(on) = 0,099 Ом)
• STMicroelectronics: STW36N60DM2 (600 В, 36 А, R_DS(on) = 0,09 Ом)
• Fairchild/ON Semiconductor: FCH76N60F (600 В, 76 А, R_DS(on) = 0,06 Ом)
• Vishay: IRFP460 (500 В, 20 А, R_DS(on) = 0,27 Ом) – менее мощный, но иногда используется как замена

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление электродвигателями
• Силовые корректоры коэффициента мощности (PFC)
• Сварочное оборудование

Если вам нужны более точные параметры или специфические аналоги, уточните условия применения (например, температурный режим, частоту переключений).