IXYS IXFN44N80

IXYS IXFN44N80 – Описание и технические характеристики

Описание

IXFN44N80 – это N-канальный мощный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 800 В и током стока 44 А. Применяется в высоковольтных и сильноточных схемах, таких как:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи
• Управление двигателями
• Индукционный нагрев
• Сварочное оборудование

Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление открытого канала (R_DS(on) = 0,075 Ом)
• Быстрое переключение благодаря низким зарядам затвора
• Высокая надежность и устойчивость к перегрузкам
• Корпус TO-247 для эффективного теплоотвода

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 800 В | | Макс. ток стока (I_D) | 44 А (при 25°C) | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0,075 Ом (при V_GS = 10 В) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт | | Заряд затвора (Q_g) | 120 нКл | | Время включения (t_d(on)) | 20 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 110 нс | | Корпус | TO-247 | | Рабочая температура | -55°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Парт-номера IXFN44N80

• IXFN44N80X (возможны вариации суффиксов у производителя)
• IXFN44N80P (разные версии корпуса или упаковки)

Совместимые / аналогичные модели

1. Infineon IPP60R099CPA (600 В, 48 А, R_DS(on) = 0,099 Ом)
2. STMicroelectronics STW45NM50 (500 В, 45 А, R_DS(on) = 0,078 Ом)
3. Fairchild (ON Semiconductor) FCP44N80 (800 В, 44 А, R_DS(on) = 0,075 Ом)
4. Vishay IRFP450 (500 В, 14 А, R_DS(on) = 0,4 Ом) – менее мощный аналог
5. Toshiba TK44J80W (800 В, 44 А, R_DS(on) = 0,075 Ом)

Вывод

IXFN44N80 – мощный и надежный MOSFET, подходящий для высоковольтных и сильноточных приложений. При замене следует учитывать параметры V_DSS, I_D и R_DS(on).

Если нужны более точные аналоги или информация по применению – уточняйте!