IXYS IXFN180N15P

Описание и технические характеристики IXYS IXFN180N15P

IXYS IXFN180N15P — это N-канальный MOSFET-транзистор с высокой мощностью, предназначенный для применения в силовой электронике, импульсных источниках питания, преобразователях частоты и других устройствах с высокими токами и напряжениями.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Напряжение сток-исток (V_DSS): 150 В
• Максимальный ток стока (I_D @ 25°C): 180 А
• Максимальный импульсный ток (I_DM): 720 А
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 5,5 мОм (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 600 Вт (при T_C = 25°C)
• Корпус: TO-264 (аналогичен TO-3P)
• Температура хранения и эксплуатации: от -55°C до +175°C

Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on))
• Высокая перегрузочная способность по току
• Быстрое переключение
• Высокая надежность и термостабильность

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (same specs):

• IXFN180N15T (аналогичный параметрам, возможно другие корпуса)
• IXFN180N15X (модификация с улучшенными характеристиками)

Частичные аналоги (похожие параметры, но могут отличаться):

• IRFP4568PBF (200 В, 130 А, 6 мОм)
• IRFP4368PBF (100 В, 130 А, 4,5 мОм)
• STP160N75F3 (75 В, 160 А, 3,5 мОм)
• FDPF33N25T (250 В, 33 А, 85 мОм) – для меньших токов

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Управление электродвигателями
• Инверторы и сварочное оборудование

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметрам.