IXYS IXFN106N20

Описание и технические характеристики IXYS IXFN106N20

IXYS IXFN106N20 — это N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением и низким сопротивлением в открытом состоянии, предназначенный для мощных импульсных и линейных приложений.

Ключевые особенности:

• Тип: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 200 В
• Ток стока (I_D): до 106 А (при 25°C)
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 10 мОм (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3–5 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 600 Вт
• Корпус: TO-264 (аналог TO-3P)
• Температурный диапазон: -55°C до +175°C

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от IXYS (Infineon):

• IXFN110N20P (110A, 200V, 8.5 мОм)
• IXFN120N20P (120A, 200V, 7.5 мОм)
• IXFN140N20P (140A, 200V, 6 мОм)

Аналоги от других производителей:

• IRFP260N (International Rectifier, 50A, 200V, 40 мОм) – менее мощный аналог
• STP160N20F7 (STMicroelectronics, 160A, 200V, 6.5 мОм)
• FDPF33N25 (Fairchild, 33A, 250V, 85 мОм) – для меньших токов

Совместимые модели (по характеристикам и корпусу):

• IXFN120N65X2 (120A, 650V) – для более высоких напряжений
• IXFN80N60X3 (80A, 600V)
• APT200M75J (Microsemi, 200A, 75V) – для низковольтных приложений

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и драйверы двигателей
• Высоковольтные преобразователи
• Индукционные нагреватели

Примечание: При замене на аналог важно учитывать не только ток и напряжение, но и тепловые параметры, а также динамические характеристики.