IXYS IXFH30N60P

Описание

IXYS IXFH30N60P – это N-канальный мощный MOSFET транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, DC-DC преобразователей и других силовых электронных устройств.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (600 В)
• Большой ток стока (30 А)
• Низкое сопротивление канала (0,12 Ом) при VGS = 10 В
• Быстрое переключение и малые динамические потери
• Корпус TO-247, обеспечивающий эффективный теплоотвод

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (VDS) | 600 В |
| Макс. ток стока (ID) | 30 А |
| Сопротивление RDS(on) | 0,12 Ом (при VGS = 10 В) |
| Пороговое напряжение (VGS(th)) | 3–5 В |
| Макс. мощность (PD) | 330 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Темп. перехода (Tj) | -55°C до +150°C |
| Заряд затвора (Qg) | 85 нКл (тип.) |
| Время включения (td(on)) | 12 нс (тип.) |
| Время выключения (td(off)) | 50 нс (тип.) |
| Диод обратного восстановления (Qrr) | 1,2 мкКл (тип.) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (по характеристикам и корпусу):

• Infineon IPP60R099CPA (600V, 30A, RDS(on) = 0,099 Ом)
• STMicroelectronics STW30N60DM2 (600V, 30A, RDS(on) = 0,12 Ом)
• Fairchild/ON Semi FCH30N60 (600V, 30A, RDS(on) = 0,13 Ом)
• IR (Infineon) IRFP460 (500V, 20A, но близкий по параметрам)

Аналоги с другими корпусами:

• IXFH30N60P2 (TO-247AC, улучшенные характеристики)
• IXTA30N60P (TO-264, более мощный теплоотвод)

Совместимые модели в схемах (зависит от применения):

• IXFH32N60P (32A, 600V, RDS(on) = 0,11 Ом)
• IXFH40N60P (40A, 600V, RDS(on) = 0,09 Ом)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и частотные преобразователи
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями
• Сварочное оборудование

Если нужны дополнительные данные (графики, кривые) – уточните!