IXYS ixfb132n50p3

IXYS IXFB132N50P3 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений.

Технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Структура: Super MOSFET (низкое сопротивление в открытом состоянии)
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 500 В
• Максимальный ток стока (I_D): 132 А (при 25°C)
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 0.027 Ом (при V_GS = 10 В)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 830 Вт
• Тип корпуса: TO-264 (аналогичен TO-3PN)
• Температурный диапазон: -55°C до +175°C
• Заряд затвора (Q_g): ~170 нКл (типовое значение)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В (типовое)

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление электродвигателями
• Высоковольтные коммутационные схемы

Парт-номера и совместимые модели:

• Аналоги от IXYS:
  • IXFB120N50P3 (120A, 500V, R_DS(on) = 0.032 Ом)
  • IXFB150N50P3 (150A, 500V, R_DS(on) = 0.023 Ом)
• Аналоги от других производителей:
  • Infineon: IPP60R199CP (600V, 50A, TO-247)
  • STMicroelectronics: STW75N50 (500V, 75A, TO-247)
  • Vishay/Siliconix: SUP50020E-GE3 (500V, 120A, TO-264)

Примечание: При замене на аналоги следует учитывать различия в корпусах, токах и тепловых характеристиках.

Если нужна дополнительная информация по применению или схемам, уточните!