IXYS IXEN60N120

Описание

IXYS IXEN60N120 – это N-канальный IGBT-транзистор с кремниевой структурой, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Основные сферы использования:

• Инверторы и преобразователи
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Системы управления двигателями
• Индукционный нагрев
• Сварочное оборудование

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (1200 В)
• Низкие потери при переключении
• Встроенный быстрый диод (антипараллельный)
• Высокая стойкость к перегрузкам

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT с диодом | | Напряжение V_CES | 1200 В | | Ток коллектора I_C | 60 А (при 25°C) | | Ток импульса I_CM | 120 А | | Рассеиваемая мощность P_D | 330 Вт (с радиатором) | | Напряжение отпирания V_GE(th) | 4–6 В | | Время включения t_d(on) | 25 нс (тип.) | | Время выключения t_d(off) | 150 нс (тип.) | | Корпус | TO-247 | | Диапазон температур | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (совместимые модели):

• IXYS IXGH60N120 (аналог с близкими параметрами)
• Infineon IKW60N120T2
• Fuji Electric 2MBI200U2A-120
• STMicroelectronics STGW60H120DF

Похожие модели (с отличиями в характеристиках):

• IXYS IXGN60N120 (выше скорость переключения)
• IXYS IXBH60N120 (в другом корпусе)
• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600 В, меньший ток)

Примечания

• При замене на аналог учитывайте разброс параметров (особенно V_CE, I_C и скорость переключения).
• Рекомендуется проверять datasheet на совместимость в конкретной схеме.

Если нужна более детальная информация (графики, схема включения), уточните запрос!