IXYS IXBF20N300

Описание и технические характеристики IXYS IXBF20N300

IXYS IXBF20N300 – это мощный высоковольтный MOSFET-транзистор, предназначенный для использования в силовой электронике, импульсных источниках питания, инверторах и других приложениях, требующих высокого напряжения и тока.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: N-channel Power MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 3000 В
• Максимальный ток стока (I_D): 20 А
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 1.5 Ом (тип.)
• Мощность рассеивания (P_D): 300 Вт
• Тип корпуса: TO-247 (изолированный или неизолированный вариант)
• Температура перехода (T_J): -55°C до +150°C
• Заряд затвора (Q_g): ~120 нКл (тип.)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4–6 В

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги и совместимые модели:

• IXYS IXBF20N300A (модификация с улучшенными характеристиками)
• IXYS IXBF20N300K (версия с другим корпусом или характеристиками)
• IXYS IXFH20N300 (альтернативный вариант)

Аналоги от других производителей:

• Infineon IPW90R300C3 (3000 В, 20 А, TO-247)
• STMicroelectronics STW20NM300 (3000 В, 20 А, TO-247)
• Microsemi (Vishay) APT20GF300J (3000 В, 20 А, TO-247)

Применение:

• Высоковольтные преобразователи
• Индукционные нагреватели
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Устройства плавного пуска (Soft Starters)
• Медицинское и промышленное оборудование

Если вам нужны более точные параметры или даташит, уточните версию корпуса (изолированный/неизолированный TO-247).