IXYS 90N33TCD1

IXYS 90N33TCD1 – Описание и технические характеристики

Описание:

90N33TCD1 – это N-канальный MOSFET транзистор от IXYS (ныне Littelfuse), разработанный для высоковольтных и высокомощных приложений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой устойчивостью к импульсным нагрузкам, что делает его подходящим для:

• Импульсных источников питания (SMPS)
• Мостовых схем (H-мосты)
• Инверторов и преобразователей
• Управления двигателями

Ключевые характеристики:

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 330 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 90 А |
| Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 0.033 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Макс. мощность рассеяния (P_D) | 500 Вт |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
| Заряд затвора (Q_g) | ~110 нКл |
| Корпус | TO-247 |
| Диапазон рабочих температур | -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги:

• Прямые аналоги:

  • IXYS 90N33TCD (тот же транзистор, но без суффикса "1")
  • IXYS IXTH90N33T
  • Infineon IPP90N33S3-3
  • STMicroelectronics STW90N33K5

• Совместимые модели (с близкими параметрами):

  • IXYS 80N30TCD (80 А, 300 В)
  • IXYS 100N30TCD (100 А, 300 В)
  • IRFP4668PbF (100 А, 200 В)

Применение:

Транзистор 90N33TCD1 часто используется в:

• Высоковольтных DC-DC преобразователях
• Индукционных нагревателях
• Промышленных инверторах
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется более высокая мощность, можно рассмотреть IXTH100N30T (100 А, 300 В) или IXFN140N30P (140 А, 300 В).

Нужна дополнительная информация по заменам или схемам применения?