IXYS 18IO1B

IXYS 18IO1B – это силовой полупроводниковый модуль, содержащий IGBT-транзистор и диод в одном корпусе. Он предназначен для применения в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других высоковольтных/высокотоковых приложениях.

Технические характеристики

Основные параметры IGBT:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): до 18 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): до 10–12 А (при 100°C)
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~2,0 В (при номинальном токе)
• Время включения (t_on): ~60 нс
• Время выключения (t_off): ~200 нс

Основные параметры диода:

• Прямое напряжение (V_F): ~1,8 В
• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Время восстановления (t_rr): ~100 нс

Термические параметры:

• Максимальная температура перехода (T_j): 150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0,7 °C/Вт

Корпус:

• Тип корпуса: TO-247 или аналогичный (в зависимости от версии)
• Количество выводов: 3 (коллектор, эмиттер, затвор)

Парт-номера и аналогичные модели

Прямые аналоги:

• IXYS 18IO1 (базовая версия)
• IXYS 18IO1C (модификация с улучшенными характеристиками)
• IXYS 18IO1D (версия с оптимизированным тепловым сопротивлением)

Совместимые/альтернативные модели от других производителей:

• Infineon IKW15N120T2 (1200 В, 15 А)
• STMicroelectronics STGW30NC120HD (1200 В, 30 А)
• Fuji Electric 2MBI200U4B-120 (1200 В, 200 А, модуль)
• Mitsubishi CM600HA-24A (1200 В, 600 А, модуль для мощных систем)

Применение

• Преобразователи частоты
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Управление электродвигателями
• Сварочные инверторы
• Системы резервного питания (UPS)

Если вам нужно уточнить параметры для конкретного применения, укажите условия эксплуатации (напряжение, ток, частота переключений), и я помогу подобрать оптимальный аналог.