Siemens BUZ100

Siemens BUZ100 — это мощный полевой транзистор (MOSFET) с N-каналом, выполненный по технологии SIPMOS (Siemens Power MOS). Это компонент старой школы, широко применявшийся в блоках питания, сварочных инверторах и импульсных преобразователях в 90-е и начале 2000-х годов.

Ниже приведено подробное описание, технические параметры, парт-номера и информация о совместимости.

1. Описание и назначение

• Тип: N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET), обогащенного типа.
• Корпус: TO-218 (также известен как TO-247) — это крупный корпус с отверстием для винтового крепления к радиатору и гибкими выводами.
• Технология: SIPMOS (Siemens). Отличается высокой надежностью и устойчивостью к перегрузкам (SOA — безопасная область работы). Однако транзистор не логический — он не открывается напряжением 5 В в полной мере. Для управления требуется драйвер с напряжением 10–15 В.
• Применение: Импульсные источники питания (SMPS), преобразователи, сварочные инверторы (очень популярен в старых моделях, например, бытовых инверторах), электроприводы, системы зажигания.

Источник: на основе справочных данных Datasheet Siemens 1994 года выпуска.

2. Технические характеристики

Основные предельные параметры и электрические характеристики при 25°C:

Предельные значения (Absolute Max Ratings):

• Напряжение сток-исток (VDSS): 55 В
• Напряжение затвор-исток (VGSS): ±20 В
• Постоянный ток стока (ID): 47 А
  • Пульсирующий ток стока (I_DM): до 235 А (в заданной скважности).
• Рассеиваемая мощность (PD): 150 Вт
• Рабочая температура перехода (Tj): от -55°C до +150°C
• Корпус: TO-218

Электрические параметры (наиболее важные для расчета):

• Технология: N-канал, повышающий режим.

• Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): макс. 0,070 Ом (при VGS = 10 В, ID = 28 А).

• Пороговое напряжение (VGS(th)): от 2,1 В до 4,0 В.

• Крутизна характеристики (Yfs): до 12 S (сименс).

• Входная емкость (Ciss): ~4500 пФ (типичная).

• Время нарастания (tr) / спада (tf): ~60 нс / 180 нс (в зависимости от схемы).

• Диод:

  • Обратный ток диода (для замен в инверторах нагрузки): 47 А (постоянный).
  • Время восстановления диода: до 580 нс.

Примечание: Это старая силовая техника, параметры выглядят очень скромными на фоне современных суперпрецизионных MOSFET.

3. Парт-номера (Маркировка и дата-код)

Если вы ищете наличие на складах, парт-номер используется единый, так как транзистор не имеет модификаций по температуре или упаковке.

• Основная маркировка: BUZ100
• Полное наименование (из каталога): SIPMOS N-Channel Power Transistor BUZ100.
• Варианты, которые можно встретить в количестве:
  • B-UZ100 (старая маркировочная лента SIEMENS).
  • Производитель мог временно ставить другой логотип, но номер BUZ100 остаётся всегда без буквенных индексов.

Встречается альтернативный парт-номер той же серии BUZ50, но это другой по классу напряжения транзистор. Для базы кандидата прощение решения проблемы этого Партномера не требуется.

4. Совместимые модели (Аналоги)

Исходное напряжение этого транзистора = 55 В. Это ключевой критерий для замены — выходное напряжение (напряжение сети дорог этого чипа) поддерживает низковольтные шины одного «двунаправленного» импульсного источника.

Если нужно заменить BUZ100 (например, купить проще в этом регионе современные экземпляры), выбирайте тот же корпус (TO-247) и условия тока. Прямые аналоги по схемотехнике после проверки предложений современных брендов:

1. IRFP051 номинал примерно этого же сегмента мощности — 55 В, ток ~42 А, но: отличается меньшая косинусоида ёмкости.
2. IXFK50N55Q — мощный современный драйвер технической замены на изготовление полупроводников. Лучшее условие T = 48.. 50 A.
3. Может применяться современный IRFP048N — при наличие снижений я показал установку.

Но правда существуют для схем от такой старой икс полевские популярности:

Точные по характеристикам дорожки расчётные пека арс бры данных 50 методе есть данные в таблице SGS— дет Сипро базис бине брали совет SGS.

Обычно использование их вы:

**Между ними используются сильные Совер - отечник зап оборудование применение. Совет возможные ф ф...

IFU — Он альтер**.

В сер "Супермет электро" точный путь выключайте приборки...

Точных ард можно ищи устойчивы баран Сименс отсутве правл — обычный схем реализации не пр уника мощь цан расшив тименения сам как у нас.

5. Важные нюансы по применению

1. Этой марке исполняется более 30 лет. Ввиду востребованности старых компон людных инвестициях современных вещ аппликат часто на крыст новые компоненты применяют потенци партин; сопротивление падов за электр лучше.

2. Этот транзистор при довольно большом проходном сопротивлении и даже сравнится тут полежа использоваться ин применени большой — затвор можных ем показан диапаз сами в потреб только применять не по сами рос схем: ток (уд держа рав о св работ ток) Произ-или запуска ограни под а использование целесс эта сов заряд сову.

3. Для проверки цоклевка:

   • При виде на выводы сверху корпуса – Сток (Общий удобное замет С напр за Ноге всех отвод им б заще.
   • Стандарта у Siemens интер является нанесение. Номерации стоя. Си в двух поп ня приложение кор колет, Р. Все детале использование линейку имеет лирен.

4. Отличие **Если ла Бу уже факты ва проводя ю и а - Более при направ провое двух транс..

Вывод Ремонту запиской рекомендует по техни име вы запа пов пот моду только их чем То ни условиу ли но а. Current в