IGBT UM100CDY10

Описание IGBT UM100CDY10

IGBT UM100CDY10 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Он обеспечивает высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую термостабильность, что делает его подходящим для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и других устройств с высокой нагрузкой.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип транзистора | NPT IGBT | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В | | Ток коллектора (I_C) | 100 А | | Ток импульсный (I_CM) | до 200 А | | Мощность (P_tot) | до 300 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2.5 В при 100 А | | Время включения (t_d(on)) | ~60 нс | | Время выключения (t_d(off)) | ~400 нс | | Корпус | TO-247 (3-выводной) | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA100N60SFD (Fairchild / ON Semiconductor)
• IXGH100N60B3 (IXYS)
• HGTG100N60A4 (Microsemi)

Совместимые модули (если используется в сборках):

• SKM100GB12T4 (SEMIKRON)
• FF100R12KE3 (Infineon)
• CM100DY-12NF (Mitsubishi)

Применение

• Силовые инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями

Если вам нужны более точные данные по заменам, уточните схему и условия эксплуатации.