IGBT DM2G100SH6A

IGBT DM2G100SH6A — это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в силовой электронике. IGBT сочетает в себе преимущества MOSFET (высокое входное сопротивление и быстродействие) и биполярного транзистора (низкое падение напряжения в открытом состоянии).

Основные характеристики IGBT DM2G100SH6A:

1. Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В

2. Ток коллектора (I_C): 100 А

3. Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): Зависит от условий эксплуатации, обычно указывается в datasheet.

4. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): Обычно в диапазоне 1,5–2,5 В (точное значение зависит от тока и температуры).

5. Время включения (t_on) и выключения (t_off): Характеризует быстродействие транзистора.

6. Температурный диапазон: Обычно от -40 °C до +150 °C (зависит от производителя).

7. Корпус: Часто выполняется в корпусе TO-247 или аналогичном, что обеспечивает хороший теплоотвод.

Применение:

IGBT DM2G100SH6A используется в:

• Преобразователях частоты,

• Инверторах,

• Системах управления электродвигателями,

• Источниках бесперебойного питания (ИБП),

• Сварочных аппаратах,

• Солнечных инверторах.

Особенности:

• Высокая эффективность благодаря низкому V_CE(sat).

• Быстрое переключение, что позволяет снизить потери в высокочастотных схемах.

• Надежность и устойчивость к перегрузкам.