IGBT TO247A

Описание и технические характеристики IGBT TO247A

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе TO247A – это мощный полупроводниковый прибор, сочетающий преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Используется в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах, сварочных аппаратах и других силовых приложениях.

Основные технические характеристики:

• Корпус: TO247A (3 вывода)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В, 650 В, 1200 В и выше (в зависимости от модели)
• Ток коллектора (I_C): 20 А – 100 А (пиковые значения выше)
• Мощность рассеивания (P_D): 100–300 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1,5–3,0 В
• Время переключения (t_on/t_off): 50–200 нс
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C
• Изолированный корпус: Да (опционально, для некоторых моделей)

Популярные парт-номера IGBT TO247A

Infineon Technologies:

• IKW40N60T (600 В, 40 А)
• IKW75N65ES5 (650 В, 75 А)
• IKW50N60H3 (600 В, 50 А)

STMicroelectronics:

• STGW40H60DF (600 В, 40 А, диод встроенный)
• STGW30H120DF (1200 В, 30 А)

ON Semiconductor (Fairchild):

• FGH40N60SMD (600 В, 40 А)
• FGA60N65SMD (650 В, 60 А)

Mitsubishi / Renesas:

• CM300DY-24A (1200 В, 300 А, модуль, но есть аналоги в TO247)

Совместимые модели и аналоги

Некоторые IGBT в корпусе TO247A взаимозаменяемы с аналогами других производителей. Примеры замен:

| Оригинал | Аналог |
|--------------------|----------------------|
| IKW40N60T (Infineon) | FGH40N60SMD (ON Semi) |
| STGW40H60DF (ST) | IRG4PH50UD (Infineon) |
| FGA60N65SMD (ON Semi) | IKW60N65ES5 (Infineon) |

⚠ При замене важно учитывать:

• Напряжение и ток
• Наличие встроенного диода
• Параметры переключения (особенно для ВЧ-схем)

Применение IGBT TO247A

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Управление электродвигателями

Если нужны специфичные параметры (U_CE, I_C, скорость переключения), уточните – помогу подобрать оптимальный вариант.