IGBT TM200DZ-M

Описание IGBT TM200DZ-M

TM200DZ-M – это высоковольтный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных системах управления.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat))
• Быстрое переключение
• Встроенный обратный диод
• Надежная конструкция для тяжелых условий эксплуатации

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-------------------------------|
| Тип устройства | IGBT с диодом |
| Макс. напряжение VCES | 1200 В (или уточненное) |
| Ток коллектора (IC) | 200 А (при 25°C) |
| Ток импульса (ICM) | 400 А (кратковременно) |
| Падение VCE(sat) | ~2.0 В (при указанном токе) |
| Рассеиваемая мощность| ~300 Вт (с теплоотводом) |
| Температура перехода | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (или TO-264) |
| Затвор-эмиттерное напряжение (VGE) | ±20 В макс. |

(Точные параметры могут отличаться в зависимости от производителя и даташита.)

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• TM200DZ-M (возможно, производитель Toshiba, Mitsubishi или другой)
• CM200DZ-24M (аналог от Mitsubishi)
• FF200R12KE3 (аналог от Infineon)

Совместимые модели и аналоги:

1. Infineon:
   • FF200R12KT3
   • FF200R12KE3
2. Mitsubishi (Renesas):
   • CM200DY-24NFH
   • CM200DZ-24M
3. Fuji Electric:
   • 2MBI200VA-120-50
4. SEMIKRON:
   • SKM200GB12T4

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Энергетические системы

Примечание

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять даташиты и сравнивать параметры (VCES, IC, VCE(sat), корпус). В некоторых случаях может потребоваться адаптация схемы управления.

Если у вас есть дополнительные данные (производитель, даташит), уточню детали!