IGBT SOT-227F

Описание IGBT модуля в корпусе SOT-227F

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) модули в корпусе SOT-227F (также известном как MiniSKiiP) представляют собой компактные силовые полупроводниковые устройства, предназначенные для управления высокими напряжениями и токами. Они широко применяются в:

• Частотных преобразователях
• Инверторах
• Системах управления электродвигателями
• Импульсных источниках питания
• Промышленной автоматизации

Корпус SOT-227F обеспечивает хорошие тепловые характеристики, простоту монтажа на радиатор и надежные контактные соединения.

Технические характеристики (общие)

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В, 1200 В, 1700 В (в зависимости от модели)
• Ток коллектора (I_C): от 25 А до 100 А
• Ток короткого замыкания (I_SC): до 200 А (импульсный)
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 1,5–2,5 В
• Время включения/выключения (t_on/t_off): 50–200 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0,3–0,6 °C/Вт
• Изоляция корпуса: до 2500 В (опционально)

Популярные парт-номера (Part Numbers)

Производители: Infineon, SEMIKRON, Mitsubishi, Fuji Electric, STMicroelectronics

Infineon:

• IKW...N... (например, IKW25N120H3 – 1200 В, 25 А)
• IKW40N65H5 (650 В, 40 А)
• IKW75N60T (600 В, 75 А)

SEMIKRON:

• SKM...GD... (например, SKM75GB12T4 – 1200 В, 75 А)
• SKM100GB12V (1200 В, 100 А)

Mitsubishi:

• CM...DU... (например, CM75DU-12F – 1200 В, 75 А)

Fuji Electric:

• 6MBP... (например, 6MBP50RA120 – 1200 В, 50 А)

Совместимые модели

В зависимости от параметров, некоторые модули взаимозаменяемы:

• IKW25N120H3 (Infineon) → CM25DU-12F (Mitsubishi)
• SKM75GB12T4 (SEMIKRON) ≈ 6MBP75RA120 (Fuji Electric)
• IKW40N65H5 (Infineon) → SKM40GB066D (SEMIKRON)

Перед заменой необходимо проверять:

• Напряжение и ток
• Распиновку и тепловые характеристики
• Наличие встроенного диода (для обратной проводимости)

Примечание

Для точного выбора всегда сверяйтесь с даташитом производителя, так как некоторые модели могут иметь дополнительные функции (встроенные температурные датчики, диоды и т. д.).