IGBT SKM300GB066D

Описание IGBT модуля SKM300GB066D

SKM300GB066D — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от компании SEMIKRON, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в силовой электронике. Модуль выполнен в стандартном корпусе, обеспечивающем эффективное охлаждение и простоту монтажа.

Основные особенности:

• Высокая перегрузочная способность
• Низкие потери проводимости и коммутации
• Встроенные свободно-колебательные диоды (антипараллельные диоды)
• Высокая изоляция между элементами и теплоотводом
• Надежная конструкция для промышленного применения

Технические характеристики

Основные параметры IGBT:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 300 А |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | 210 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 600 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 1250 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,75 В |
| Время включения (t_on) | 90 нс |
| Время выключения (t_off) | 400 нс |

Параметры встроенного диода:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Прямое напряжение (V_F) | 1,65 В |
| Обратное время восстановления (t_rr) | 120 нс |

Тепловые характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)) | 0,08 К/Вт |
| Максимальная температура перехода (T_j) | 150 °C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от SEMIKRON:

• SKM300GB063D (600 В, 300 А)
• SKM300GB12T4 (1200 В, 300 А)
• SKM400GB066D (600 В, 400 А)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF300R06KE3
• Mitsubishi: CM300DY-24NF
• Fuji Electric: 2MBI300U4A-060

Типовые применения

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Индукционные нагреватели

Если вам нужно уточнить параметры или подобрать замену для конкретного применения, сообщите дополнительные требования.