IGBT skm200gb063d

Описание IGBT модуля SKM200GB063D

SKM200GB063D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Semikron, предназначенный для мощных преобразователей энергии, частотных приводов, инверторов и сварочного оборудования. Модуль включает в себя два IGBT транзистора с антипараллельными диодами, собранные в полумостовую (Half-Bridge) конфигурацию.

Основные технические характеристики

Электрические параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C): 200 А
• Импульсный ток (I_CM): 400 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 1,8 В (тип.)
• Напряжение открытия затвора (V_GE): ±20 В
• Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)): 0,12 °C/Вт

Характеристики встроенного диода:

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 600 В
• Прямой ток (I_F): 200 А
• Падение напряжения (V_F): 1,7 В (тип.)

Температурные параметры:

• Рабочая температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Температура хранения: от -40°C до +125°C

Механические характеристики:

• Корпус: модуль с изолированным основанием
• Монтаж: винтовое крепление
• Вес: ~150 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Semikron: SKM200GB12T4 (1200 В, 200 А)
• Infineon: FF200R06KE3 (600 В, 200 А)
• Mitsubishi: CM200DY-24A (600 В, 200 А)
• Fuji Electric: 2MBI200N-060 (600 В, 200 А)

Совместимые драйверы:

• Semikron: SKHI22A, SKYPER 32
• Infineon: 2ED300C17

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы

Модуль SKM200GB063D обеспечивает высокую эффективность и надежность в силовой электронике благодаря низким потерям и хорошему тепловому режиму.