IGBT SKM150GB128DE

Описание IGBT модуля SKM150GB128DE

SKM150GB128DE – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с обратным диодом, разработанный для мощных преобразовательных систем. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных приводах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|--------------| | Тип модуля | IGBT + диод (Half-Bridge) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 150 А (при 80°C) | | Ток импульсный (I_CP) | 300 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 620 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 350 нс | | Диод обратного восстановления (V_RRM) | 1200 В | | Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 °C/Вт | | Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C | | Корпус | SEMiX 3B (изолированный) | | Вес | ~180 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от SEMIKRON:

• SKM150GB12T4 (аналог с улучшенными характеристиками)
• SKM150GB12V (схожий модуль в другом корпусе)
• SKM100GB128D (на 100 А)
• SKM200GB12T4 (на 200 А)

Совместимые аналоги других производителей:

• Infineon: FF150R12RT4, FF150R12KE3
• Mitsubishi: CM150DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-120

Замены в зависимости от нагрузки:

• Для меньших токов: SKM75GB128D (75 А)
• Для больших токов: SKM300GB128D (300 А)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Тяговые преобразователи
• Системы управления двигателями

Модуль SKM150GB128DE отличается высокой надежностью и эффективностью в высоковольтных приложениях. Для точного подбора замены рекомендуется проверять параметры в даташите.