IGBT SKM100GA123D

Описание IGBT модуля SKM100GA123D

Производитель: SEMIKRON
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного восстановления (NPT-IGBT)
Назначение: Управление мощностью в инверторах, преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах и других силовых электронных устройствах.

Ключевые технические характеристики:

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C): 100 А
• Импульсный ток коллектора (I_CM): 200 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ≤ 2.5 В (при 100 А)
• Время включения (t_on): 60 нс
• Время выключения (t_off): 320 нс
• Максимальная частота переключения: 20 кГц

Параметры встроенного диода:

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 100 А
• Время восстановления (t_rr): 180 нс

Тепловые характеристики:

• Тепловое сопротивление переход-корпус (R_thJC): 0.25 °C/Вт
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Корпус: модуль с изолированным основанием

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от SEMIKRON:

• SKM100GB123D (с улучшенными параметрами)
• SKM75GA123D (75 А, 1200 В)
• SKM150GA123D (150 А, 1200 В)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF100R12KT4
• Mitsubishi: CM100DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI100U2B-120

Другие парт-номера:

• SKM100GA123D (SEMIKRON OEM-версии)
• SKM100GAL123D (с низким падением напряжения)

Применение:

• Промышленные приводы
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электромобили и зарядные станции
• Солнечные инверторы

Модуль отличается высокой надежностью и эффективностью, подходит для работы в жестких условиях.

(Актуальные параметры уточняйте в даташите производителя, так как возможны изменения в разных ревизиях.)