IGBT SKIIP22NAC12IT42

Описание и технические характеристики IGBT модуля SKIIP22NAC12IT42

SKIIP22NAC12IT42 – это интеллектуальный силовой модуль (IPM) производства Semikron, объединяющий IGBT-транзисторы с драйверами и защитными функциями. Модуль предназначен для использования в инверторах, частотных преобразователях, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

• Тип модуля: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Конфигурация: Трехфазный мост (6 в 1)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток (I_C при 25°C): 22 А
• Импульсный ток (I_CP): 44 А
• Мощность рассеивания (P_tot): до 150 Вт
• Напряжение управления затвором (V_GE): ±15 В
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,35 К/Вт
• Диапазон рабочих температур (T_j): от -40°C до +150°C
• Корпус: SKiiP (изолированный, с интегрированной термопарой)
• Защита: Встроенные датчики температуры, защита от КЗ, Undervoltage Lockout (UVLO)

Совместимые модели и парт-номера:

Аналоги и замены от Semikron:

• SKIIP22NAC12IT4 (предыдущая версия)
• SKIIP22NAC12T4 (аналог без изолированного корпуса)
• SKIIP24NAC12IT42 (24A, совместим по корпусу и управлению)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R12KT4 (200A, но в другом форм-факторе)
• Mitsubishi: PM25CLA120 (25A, схожий параметр)
• Fuji Electric: 6MBP20RA120 (20A, 1200V)

Применение:

• Преобразователи частоты
• Сервоприводы
• Промышленные инверторы
• Системы рекуперации энергии

Модуль SKIIP22NAC12IT42 отличается высокой надежностью и удобством монтажа благодаря интегрированной системе охлаждения и защитным функциям.

Если нужна более точная информация по заменам, уточните тип корпуса и требования по току/напряжению.