IGBT SK60GAL123

Описание IGBT модуля SK60GAL123

SK60GAL123 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным быстрым диодом, предназначенный для применения в силовой электронике, преобразователях частоты, инверторах и системах управления двигателями. Модуль обладает высокой эффективностью и надежностью, обеспечивает низкие потери проводимости и переключения.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (NPT-технология) | | Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 60 А (при 25°C) | | Ток в импульсе (I_CM) | 120 А | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.1 В (тип.) | | Время включения (t_on) | ~60 нс | | Время выключения (t_off) | ~200 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.25 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C ... +150°C | | Корпус | 6-выводной (размер стандартный) | | Вес | ~50 г |

Эквиваленты и совместимые модели

Парт-номера и аналоги:

• SKM60GB123D (Semikron)
• CM60DY-12H (Mitsubishi)
• FF60R12KE3 (Infineon)
• MG601Q2YS40 (Toshiba)
• 6MBP60RA120 (Fuji Electric)

Совместимые модели в схемах:

• SK30GAL123 (30 А версия)
• SK100GAL123 (100 А версия)
• SKM50GB123D (аналог с близкими параметрами)

Применение

• Частотные преобразователи
• Промышленные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Примечание

При замене модуля рекомендуется учитывать рабочие токи, условия охлаждения и параметры драйвера. Для точного соответствия необходимо проверять datasheet производителя.

Если нужны дополнительные параметры (характеристики диода, графики зависимости тока от температуры и др.), уточните запрос.