IGBT SK30DB100D

Описание IGBT SK30DB100D

SK30DB100D – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других устройствах с высокими токами и напряжениями.

Этот IGBT имеет низкие потери проводимости и переключения, что делает его энергоэффективным решением для мощных преобразователей. Корпус TO-247 обеспечивает хорошее теплоотведение, а встроенный быстрый диод способствует защите от обратных токов.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1000 В
• Ток коллектора (I_C): 30 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 60 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 200 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)): 4–6 В
• Скорость переключения:
  • Время включения (t_d(on)): ~30 нс
  • Время выключения (t_d(off)): ~150 нс

Встроенный диод:

• Прямое напряжение (V_F): ~1,7 В
• Обратное время восстановления (t_rr): ~100 нс

Тепловые параметры:

• Температура перехода (T_j): -55°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,5 °C/Вт

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (по характеристикам):

• Infineon: IKW30N100H3
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA30N100ANTDTU
• STMicroelectronics: STGW30NC100HD
• Mitsubishi: CM300DY-24A

Похожие модели (с другими параметрами):

• SK30GB100D (более мощная версия)
• SKM30GB100D (модульный IGBT)
• IRG4PH50UD (600 В, 45 А, от International Rectifier)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров, особенно по V_CES, I_C и скорости переключения.

Нужна дополнительная информация?