IGBT SK25GAL063

Описание IGBT SK25GAL063

IGBT SK25GAL063 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в мощных импульсных преобразователях, инверторах, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип устройства | IGBT + диод (полумост или одиночный модуль) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C) | 25 А | | Ток импульсный (I_CM) | 50 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 150 Вт | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1,8 В (при 25 А) | | Время включения (t_on) | 40 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 или аналогичный |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• SKM25GB063D (Semikron)
• IRG4PH50UD (Infineon)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N60A4D (Microsemi)
• STGW25H60DF (STMicroelectronics)

Совместимые модели в схожих корпусах:

• SK30GAL063 (30A, 600V)
• SK20GAL063 (20A, 600V)
• SKM50GB063D (50A, 600V)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если нужны дополнительные данные (например, параметры диода, схема включения), уточните запрос.