IGBT sgh30n60rufd

Описание и технические характеристики IGBT SGH30N60RUFD

SGH30N60RUFD — это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом, предназначенный для высокоэффективных силовых приложений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочных аппаратах, системах управления электродвигателями и других высоковольтных устройствах.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 30 А (макс.) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 18 А | | Импульсный ток (I_CM) | 60 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,85 В (при I_C = 15 А) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 150 Вт | | Рабочая температура (T_j) | -55°C до +150°C | | Время включения (t_on) | 28 нс | | Время выключения (t_off) | 120 нс | | Тип корпуса | TO-247 | | Встроенный диод | Да (Ultra-Fast) | | Скорость переключения | Высокая (оптимизирована для частот 20-100 кГц) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и альтернативы:

• Infineon: IKW30N60T, IKW30N60H3
• Fuji Electric: 2MBI30U6B-060
• Mitsubishi: CM30DY-24H
• STMicroelectronics: STGW30NC60WD
• ON Semiconductor: FGH30N60SFD

Полные парт-номера (в зависимости от производителя):

• SGH30N60RUFD (оригинал)
• SGH30N60RUFDX (модификация с улучшенными характеристиками)
• SGH30N60 (базовая версия)

Примечания по замене:

При выборе аналога важно учитывать:

• Напряжение и ток коллектора.
• Наличие встроенного диода.
• Скорость переключения и тепловые характеристики.

Если нужен аналог с более высокими характеристиками, можно рассмотреть SGH40N60RUFD (40 А, 600 В) или IRGP30B60PD (International Rectifier).

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!