IGBT sdip-25

Описание IGBT SDIP-25

IGBT SDIP-25 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) в корпусе SDIP-25 (Shrink Dual In-line Package с 25-ю выводами). Предназначен для применения в силовой электронике, включая инверторы, импульсные источники питания, двигательные приводы и системы управления мощностью.

Отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой температурной стабильностью.

Технические характеристики

1. Корпус: SDIP-25 (пластиковый, изолированный)
2. Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В, 1200 В (в зависимости от модели)
3. Ток коллектора (I_C): 10–50 А (зависит от модификации)
4. Ток импульсный (I_CM): до 100 А
5. Напряжение затвора (V_GE): ±20 В
6. Рассеиваемая мощность (P_tot): 100–200 Вт
7. Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
8. Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 0.1–0.5 Ом
9. Время включения/выключения (t_on/t_off): 50–150 нс
10. Тип кристалла: NPT/PT (в зависимости от производителя)

Парт-номера и аналоги

Производители и популярные модели:

• Infineon: IGW25N60T, IGW40N60T
• Fuji Electric: 2MBI50S-060, 2MBI75S-120
• Mitsubishi Electric: CM75DY-24H
• STMicroelectronics: STGW30NC60WD
• ON Semiconductor: NGGB50N60FL2WG

Совместимые модели (аналоги в других корпусах):

• TO-247: IRG4PH50UD (International Rectifier)
• TO-3P: GT50J101 (Toshiba)
• SDIP-25L (улучшенная версия): 6MBP50RA060 (Fuji)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Если вам нужны точные параметры для конкретной модели, уточните производителя или напряжение/ток.