IGBT QTY5

Описание и технические характеристики IGBT (Количество: 5 шт.)

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) – это силовой электронный компонент, сочетающий в себе преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярного транзистора (низкие потери мощности). Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах, импульсных блоках питания и электроприводах.

Основные технические характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600–1200 В (зависит от модели)
• Ток коллектора (I_C): 10–200 А
• Ток импульсный (I_CM): до 400 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 100–500 Вт
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247, TO-264, TO-220, модули (в зависимости от модели)
• Встроенный диод: Да (Fast Recovery Diode)

Парт номера и совместимые модели

Популярные модели IGBT:

1. Infineon:

   • IKW40N120T2 (1200V, 40A, TO-247)
   • IKW75N60T (600V, 75A, TO-247)
   • FF200R12KT4 (1200V, 200A, модуль)

2. STMicroelectronics:

   • STGW40H120DF2 (1200V, 40A, TO-247)
   • STGD6NC60HD (600V, 12A, TO-252)

3. Fuji Electric:

   • 2MBI100U4A-060 (600V, 100A, модуль)

4. Mitsubishi:

   • CM600DY-24A (1200V, 600A, модуль)

5. ON Semiconductor:

   • NGTB40N120FL3WG (1200V, 40A, TO-247)

Совместимые замены (кросс-совместимость):

• IRG4PH40UD (International Rectifier) → заменяет Infineon IKW40N120T2
• HGTG20N60A4 (Fairchild) → аналог STGW20NC60V
• FGA25N120ANTD (Fairchild) → совместим с STGW25N120KD

Применение:

• Преобразователи частоты (VFD)
• Инверторы для солнечных панелей
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• ИБП (источники бесперебойного питания)

Если вам нужны точные параметры для конкретной модели, уточните её маркировку.