IGBT QM50TB-24B

Описание IGBT QM50TB-24B

QM50TB-24B – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) в корпусе TO-3P, предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других силовых приложениях. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой скоростью работы и встроенным быстрым диодом.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Тип транзистора | NPT IGBT с антипараллельным диодом | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) | 25 А (при 100°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Диодное прямое напряжение (V_F) | 1,7 В (тип.) | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-3P (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IXGH50N120B3 (IXYS)
• IRG4PC50UD (Infineon)
• FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semi)
• HGTG50N120B3 (Microsemi)

Близкие по характеристикам:

• QM50TA-24B (аналог с другим корпусом)
• GT50J122 (Toshiba)
• MG50Q1BS41 (Mitsubishi)

Совместимые модули в схемах:

• SKM50GB128D (полубридж)
• CM50DY-24H (двойной IGBT)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять характеристики, особенно V_CES, I_C и параметры встроенного диода.