IGBT QM40DY-3H

Описание IGBT QM40DY-3H

QM40DY-3H – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, импульсных источниках питания, промышленных приводах и других силовых электронных устройствах.

Отличается низкими потерями проводимости и переключения, высокой устойчивостью к перегрузкам и компактным корпусом, удобным для монтажа на радиатор.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 40 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 80 А
• Рассеиваемая мощность (P_D): 200 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2.0 В (типовое при I_C = 40 А)
• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс
• Температура перехода (T_j): -55°C до +150°C

Параметры затвора:

• Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)): 4.0 – 6.0 В
• Емкость затвора (C_ies): 2500 пФ
• Рекомендуемое напряжение затвора (V_GE): ±20 В

Корпус:

• Тип корпуса: TO-247 (3-выводной)

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замены):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA40N60SFD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG40N60C3 (Microsemi)
• IXGH40N60C3 (IXYS)
• STGW40NC60WD (STMicroelectronics)

Похожие модели (с проверкой распиновки):

• QM30DY-3H (30 А, 600 В)
• QM50DY-3H (50 А, 600 В)
• MG40Q6ES40 (Mitsubishi)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания

Для точной замены рекомендуется проверять характеристики и распиновку, так как параметры могут отличаться в зависимости от производителя.

Если нужны дополнительные данные (например, графики вольт-амперных характеристик), уточните!