IGBT QM30TF-H

Описание IGBT QM30TF-H

QM30TF-H – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) в корпусе TO-3PF, предназначенный для мощных силовых приложений, таких как инверторы, импульсные источники питания, двигательные системы и сварочное оборудование.

Этот IGBT обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой стойкостью к перегрузкам и эффективным тепловыделением благодаря корпусу с изолированной базой.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT с быстрым диодом | | Корпус | TO-3PF (изолированный) | | Макс. напряжение V_CES | 600 В | | Макс. ток коллектора I_C | 30 А (при 100°C) | | Ток импульса I_CP | 60 А | | Рассеиваемая мощность P_D | 160 Вт | | Напряжение затвора V_GE | ±20 В | | Пороговое напряжение V_GE(th) | 5,5 В (тип.) | | Время включения t_d(on) | 35 нс (тип.) | | Время выключения t_d(off) | 200 нс (тип.) | | Диод обратного восстановления t_rr | 120 нс (тип.) | | Температура перехода T_j | -55°C ~ +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600 В, 45 А)
• H30R1602 (Fairchild, 600 В, 30 А)
• FGA30N60 (ON Semiconductor, 600 В, 30 А)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics, 600 В, 30 А)

Совместимые модели (по характеристикам):

• QM30TA-H (версия с другим корпусом)
• QM30TG-H (аналог с улучшенными динамическими параметрами)
• GT30J321 (Toshiba, 600 В, 30 А)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Системы управления электродвигателями

Если вам нужны дополнительные аналоги или уточнения по параметрам, укажите область применения – подберём оптимальную замену.