IGBT QM30TFH

Описание IGBT QM30TFH

QM30TFH – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных преобразователях, инверторах, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Отличается высокой скоростью переключения, низкими потерями проводимости и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|---------| | Тип устройства | N-канальный IGBT с диодом обратного хода (FRD) | | Макс. коллектор-эмиттер напряжение (V_CES) | 600 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 30 А | | Ток импульса (I_CM) | 60 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 150 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 15 А) | | Время включения/выключения (t_on/t_off) | 35 нс / 120 нс | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналог) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60A4D (Infineon)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Похожие модели (с другими параметрами):

• QM30DY-H (аналог с другим корпусом)
• IRGP30B60PD1 (Infineon, 600 В, 30 А)
• IXGH30N60B3 (IXYS, 600 В, 30 А)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если нужны уточнения по замене или datasheet, укажите конкретные требования!