IGBT QM30TB-2HB

Описание IGBT QM30TB-2HB

QM30TB-2HB – это изолированный модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для применения в силовой электронике, включая инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями. Модуль объединяет в себе IGBT-транзисторы и диоды обратного восстановления (FRD) в едином корпусе, обеспечивая высокую эффективность и компактность схемы.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Тип модуля: IGBT + диод (2 в 1)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 30 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C) импульсный: до 60 А
• Мощность рассеивания (P_tot): ~100 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~1,8 В (при номинальном токе)
• Напряжение открытого состояния диода (V_F): ~1,5 В
• Время включения (t_on): ~50 нс
• Время выключения (t_off): ~150 нс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0,5 °C/Вт

Конструктивные особенности:

• Корпус: стандартный модульный (например, 17-выводный)
• Изоляция: до 2500 В (между основанием и цепями управления)
• Материал основания: медь или алюминиевая подложка с керамической изоляцией

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замены):

• QM30TA-2H (аналог с похожими параметрами)
• SKM30GB063D (от Semikron)
• CM30DY-12H (Mitsubishi)
• FF30R06W1E3 (Infineon)
• MG30Q6ES40 (Toshiba)

Совместимые модели (по характеристикам):

• QM50TB-2H (50 А, 600 В) – если требуется больший ток
• QM20TB-2H (20 А, 600 В) – если допустимо снижение тока
• FS30R06W1E3 (Infineon)
• 2MBI30N-060 (Fuji Electric)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Управление двигателями
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять распиновку и тепловые параметры. Некоторые аналоги могут иметь небольшие отличия в динамических характеристиках.