IGBT QM30HY-H

Описание IGBT-модуля QM30HY-H

QM30HY-H – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным быстрым диодом, предназначенный для использования в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери при коммутации и хорошую температурную стабильность.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 30 А (при 25°C)
• Импульсный ток (I_CM): 60 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 150 Вт
• Ток затвора (I_G): ±20 А

Параметры IGBT:

• Падение напряжения (V_CE(sat)): 1,8 В (при I_C = 30 А)
• Время включения (t_on): 40 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс

Параметры диода:

• Прямое напряжение (V_F): 1,5 В (при I_F = 30 А)
• Время восстановления (t_rr): 100 нс

Температурные характеристики:

• Рабочая температура (T_j): -40°C … +150°C
• Температура хранения: -55°C … +150°C

Механические характеристики:

• Корпус: модуль с изолированным основанием
• Монтаж: винтовое крепление
• Вес: ~50 г

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (альтернативные модели):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60A4D (Microsemi)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Совместимые модули в аналогичных сериях:

• QM25HY-H (25 А, 600 В)
• QM40HY-H (40 А, 600 В)
• QM30DY-H (30 А, 1200 В)

Применение

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль QM30HY-H подходит для замены в ремонтных работах, но при выборе аналога важно учитывать рабочие токи, напряжения и тепловые характеристики.

Если нужны дополнительные параметры или аналоги от других производителей, уточните – помогу подобрать оптимальный вариант!