IGBT QM20DXH

Описание IGBT QM20DXH

IGBT QM20DXH – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других устройствах, требующих эффективного управления высокими напряжениями и токами.

Ключевые особенности:

• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)).
• Высокая скорость переключения.
• Встроенный быстрый обратный диод для защиты от обратных токов.
• Надежная конструкция, устойчивая к перегрузкам.

Технические характеристики

Основные параметры:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Коллектор-эмиттер напряжение (V_CES) | 600 В |
| Коллекторный ток (I_C) | 20 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 40 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1,8 В (при I_C = 20 А) |
| Мощность рассеивания (P_D) | 75 Вт |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |
| Рабочая температура | -55 °C … +150 °C |

Характеристики встроенного диода:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Обратное напряжение (V_RRM) | 600 В |
| Прямой ток (I_F) | 20 А |
| Падение напряжения (V_F) | 1,7 В (при I_F = 20 А) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA20N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• H20R1202 (Infineon)
• STGW20NC60VD (STMicroelectronics)

Совместимые модели в линейке QM:

• QM10DXH (10 А, 600 В)
• QM30DXH (30 А, 600 В)
• QM50DXH (50 А, 600 В)

Применение

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями

Если нужны более точные данные (например, графики зависимости тока от температуры), уточните производителя (Toshiba, Mitsubishi, Infineon и др.), так как параметры могут незначительно отличаться.

Нужна дополнительная информация?