IGBT QM200DY2H

Описание IGBT транзистора QM200DY2H

QM200DY2H — это IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-247, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он сочетает в себе преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярных транзисторов (низкие потери в открытом состоянии).

Основные сферы применения:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания (SMPS)

Технические характеристики QM200DY2H

| Параметр | Значение | |------------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | NPT IGBT + диод (антипараллельный) | | Корпус | TO-247 | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) (при 25°C) | 200 А | | Ток коллектора (I_C) (при 100°C) | 100 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2.5 В (при 200 А) | | Макс. мощность (P_tot) | 600 Вт | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Скорость переключения | Среднечастотный (до 20 кГц) | | Встроенный диод | Да (быстрый обратный диод) | | R_thJC (тепловое сопротивление) | 0.25 °C/Вт |

Аналоги и совместимые модели

Прямые аналоги (замены):

• IXYS IXGH40N120B3 (1200 В, 75 А, TO-247)
• Infineon IKW40N120H3 (1200 В, 80 А, TO-247)
• Fuji Electric 2MBI200U2H-120 (1200 В, 200 А, модуль)
• Mitsubishi CM200DY-12NF (1200 В, 200 А, модуль)
• STMicroelectronics STGW40H120DF2 (1200 В, 80 А, TO-247)

Парт-номер (альтернативное обозначение):

• QM200DY-2H
• QM200DY2H1 (возможные варианты маркировки)

Примечания

1. Для замены в схемах важно учитывать ток, напряжение и тепловые параметры.
2. В мощных инверторах часто используются модули (например, CM200DY-12NF), которые могут быть более удобными в сборке.
3. Рекомендуется проверять datasheet перед заменой, так как характеристики могут отличаться у разных производителей.

Если вам нужен точный datasheet, укажите производителя (например, Toshiba, Infineon, Mitsubishi), так как маркировка может дублироваться у разных брендов.