IGBT QM15DX24

Описание IGBT QM15DX24

QM15DX24 – это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных схемах. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Отличается низкими потерями при переключении, высокой скоростью работы и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------|
| Тип устройства | IGBT + диод (в одном корпусе)|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 15 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 30 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 60 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2.5 В (при I_C = 15 А) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 180 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3 вывода) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (схожие характеристики):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA15N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG15N120BND (Microsemi)
• STGW15NC120HD (STMicroelectronics)

Другие варианты замены:

• IXGH15N120B3 (IXYS)
• NGTB15N120FL2WG (ON Semiconductor)

Примечание

При замене QM15DX24 на аналог рекомендуется уточнять распиновку и параметры (особенно V_CES, I_C и V_CE(sat)), чтобы избежать несовместимости в схеме.

Если требуется более мощный аналог, можно рассмотреть:

• QM30DX24 (30 А, 1200 В)
• IRG4PH50UDPBF (23 А, 1200 В)

Для точного подбора аналога лучше проверять datasheet конкретного производителя.